型号:IDT71V25761YSA200BGI | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:119-BGA | 描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 同步 |
存储容量 | 4.5M(128K x 36) |
速度 | 200MHz |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
封装/外壳 | 119-BGA |
供应商器件封装 | 119-PBGA(14x22) |
包装 | 托盘 |
供应商
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IDT71V25761YSA200BGI相关型号
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时钟/计时 - 专用
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20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
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1210(3225 公制)
CAP FILM 0.056UF 16VDC 1210
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119-BGA
IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
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20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
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1206(3216 公制)
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20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
IC CLK BUFFER 1:5 166MHZ 20-SSOP
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IDT, Integrated Device Technology Inc
64-VFQFN 裸露焊盘
IC FANOUT/BUFFER DIFF 64QFPN
- GRM2196P2A7R8DZ01D
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Murata Electronics North America
0805(2012 公制)
CAP CER 7.8PF 100V P2H 0805
- IDT71321LA35PF8
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IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP
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20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
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- IDT7016S35J8
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IDT, Integrated Device Technology Inc
68-LCC(J 形引线)
IC SRAM 144KBIT 35NS 68PLCC
- IDT49FCT3805BQGI8
时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器
IDT, Integrated Device Technology Inc
20-SSOP(0.154",3.90mm 宽)
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- GRM2196P2A9R4DZ01D
陶瓷
Murata Electronics North America
0805(2012 公制)
CAP CER 9.4PF 100V P2H 0805